Плазменные колебания в полупроводниках с безмассовыми электронами

А. Д. Маргулис, Вл. А. Маргулис

Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева

Аннотация: В рамках приближения хаотических фаз с использованием метода функции Грина проведено исследование спектра и затухания плазменных колебаний в бесщелевых полупроводниках с линейным (нейтриноподобным) законом дисперсии электронов. Показано, что концентрационная и температурная зависимости параметров спектра плазмонов в этих полупроводниках существенно отличаются от соответствующих зависимостей в обычных полупроводниках с конечной шириной запрещенной зоны. Установлено, что независимо от температуры частота рассматриваемых колебаний лежит выше порога бесстолкновительного затухания Ландау. Вычислено столкновительное затухание плазмонов, обусловленное рассеянием на случайно расположенных дефектах решетки, и показано, что при низких температурах коэффициент затухания мал по сравнению с частотой плазмонов.

УДК: 537.226;537.311

Поступила в редакцию: 20.02.1989

Реферативные базы данных:

•