Температура сверхпроводящего перехода и плотность электронных состояний в тонких аморфных пленках Тс$-$С и Тс$-$Si

М. Н. Михеева, А. А. Теплов


Аннотация: Для аморфных тонких пленок Тс$-$С и Тс$-$Si из данных по перпендикулярным критическим магнитным полям и удельному сопротивлению определена плотность электронных состояний на уровне Ферми $N^{*}$. Обнаружено, что значительное понижение $T_{k}$ в широкой области концентраций металлоида не сопровождается уменьшением $N^{*}$. Полученные результаты и литературные данные приводят к выводу, что та ключевая роль в определении температуры сверхпроводящего перехода, которую, как правило, играет плотность электронных состояний в кристаллических переходных металлах и сплавах, утрачивается в аморфных системах типа переходный металл–металлоид.

УДК: 537.312.62

Поступила в редакцию: 27.01.1986

Реферативные базы данных:

•