Аннотация:
Произведено исследование флуктуации локальных атомных потенциалов в некристаллическом веществе. Основу исследования составляет моделирование случайной структуры $\alpha$-SiO$_{2}$ и $\alpha$-Si на ЭВМ. Моделирование осуществлялось методом молекулярной динамики. В ансамбле $5\cdot10^{3}$ построенных локальных конфигураций рассчитаны параметры атомных потенциалов. Показано, что значительные флуктуации этих параметров обеспечиваются типичными флуктуациями микроскопической структуры. В частности, имеет место широкое распределение констант упругости и кубического ангармонизма для отдельных атомов. Продемонстрировано существование мягких локальных атомных потенциалов, которые являются эффективно одномодовыми и могут быть как одноямными, так и двухъямными. Даны эмпирические формулы, описывающие вероятностные распределения случайных параметров мягких потенциалов. На основе полученных результатов оценена плотность состояний двухуровневых систем, возникающих в двухъямных потенциалах.