Аннотация:
Проведены исследования компонент тензора удельного сопротивления $\rho_{xx}$, $\rho_{zz}$, $\rho_{xy}$ компенсированных $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te и $n$-InSb при температурах $0.35\,\text{K}\leqslant T\leqslant 30$ K (InSb) и $1.3\,\text{K}\leqslant T\leqslant30$ K (Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te) в магнитных полях $B\leqslant 8$ T ($B\parallel Z$). С увеличением магнитного поля наблюдается переход металл$-$диэлектрик, происходящий по следующему сценарию: 1) в слабых полях вещество находится в металлическом состоянии, затем 2) происходит локализация электронов в ямы крупномасштабного флуктуационного потенциала (ФП), и, наконец, 3) электроны локализуются в мелкомасштабном потенциале (эквивалент магнитного вымораживания). Подробно изучены свойства вещества во второй, промежуточной, фазе. Анализ различных способов описания наблюдаемых в этой фазе особенностей $\rho_{xx}$ ($B$, Т), $\rho_{zz}$ ($B$, T), $\rho_{xy}$ ($B$, Т) показывает, что наиболее адекватное описание достигается в модели <неоднородной среды>, существенно учитывающей неоднородность распределения концентрации электронов по объему образца. Исследованы температурная и полевая зависимости предэкспоненциальных множителей активационной части проводимости. Проанализирована природа минимума в зависимости коэффициента Холла $R_{H}$ от $B$.
Полный текст:
PDF файл (1459 kB)