Фундаментальный край оптического поглощения монокристаллов CdSiAs$_{2}$

Г. А. Медведкин, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Экспериментально изучен фундаментальный край оптического поглощения ориентированных монокристаллов CdSiAs$_{2}$. В диапазоне температур 77$-$300 K краевое поглощение формируется за счет экситонного механизма. В линейно-поляризованном излучении происходит расщепление спектра $\alpha(\hbar\omega)$: а)  в области длинноволнового края — параллельный сдвиг $\alpha_{\perp}(\hbar\omega)$ относительно $\alpha_{\parallel}(\hbar\omega)$; б)  при энергиях, больших минимального $A$-перехода (${\Gamma^{v}_{7}\to\Gamma^{c}_{6}}$), рост $\alpha_{\parallel}(\hbar\omega)$ и $\alpha_{\perp}(\hbar\omega)$ отвечает различным правилам отбора. В поляризации ${\mathbf{E}\perp\mathbf{c}}$ это приводит к частичному запрету прямого экситонного перехода, в то время как в поляризации ${\mathbf{E}\parallel\mathbf{c}}$ прямой экситонный переход остается разрешенным.
Изучен линейный дихроизм коэффициента оптического пропускания и фотоплеохроизма кристаллов CdSiAs$_{2}$. Максимум ${\mathcal{P}_{T}^{}=-(89\div83)}$% (300$-$77 K) и $\Delta i_{\text{ф}}$ достигается при энергии минимального оптического перехода $\hbar\omega^{}_{A}$.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 24.06.1988

Реферативные базы данных:

•