Аннотация:
Рассматривается система диполей с вырожденными ориентациями в $n$-мерном пространстве, которые случайно заполняют (с вероятностью $c$) узлы симметричной решетки. При точном учете анизотропных дальнодействующих дипольных взаимодействий в приближении среднего по конфигурациям заполнения самосогласованного поля рассчитывается фазовая $T{-}c$ диаграмма ориентационных переходов из параэлектрической фазы в ферроэлектрическую и фазу дипольного стекла, а также диэлектрическая восприимчивость фазы дипольного стекла вблизи критической точки. Результаты конкретизируются для системы ОН-групп поверхности SiO$_{2}$ с треугольной решеткой адсорбционных центров. Отмечается высокая температура перехода (${\sim300}$ K) в фазу дипольного стекла для этой системы.
УДК:
536.758
Поступила в редакцию: 12.02.1988 Исправленный вариант: 18.05.1988