Аннотация:
Исследуется устойчивость стационарного пространственно-однородного распределения температуры и плотности дефектов облучаемого потоком частиц кристалла, находящегося в термостате. Показано, что существует область параметров — скорости создания дефектов и температуры термостата, — в которой стационарное однородное распределение неустойчиво по отношению к возникновению периодических во времени колебаний температуры кристалла и концентрации в нем дефектов. Определена область существования автоколебаний, найдены их период, его зависимость от условий облучения и свойств кристалла.