Аннотация:
На вольт-амперных характеристиках Ni-контактов, разделенных тонким слоем SiО, при комнатной температуре обнаружены скачки тока при напряжениях, кратных 65 мВ, причем на «омических» участках кондактанс образцов близок к одной из величин $\nu(e^{2}/h)$, где ${\nu=p/q}$ ($p$ и $q$ — целые числа).
УДК:
539.211
Поступила в редакцию: 06.11.1987 Исправленный вариант: 23.02.1988