Образование периодических структур дефектов на поверхности полупроводников при импульсном лазерном облучении

В. И. Емельянов, П. К. Кашкаров, Н. Г. Чеченин, Т. Дитрих

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Экспериментально обнаружено образование периодических структур дефектов на поверхности GaP при облучении ее мощными наносекундными импульсами УФ эксимерного лазера. Наблюденный эффект интерпретируется как результат развития на поверхности электронно-деформационно-тепловой неустойчивости при межзонных переходах. Получено хорошее согласие развитой теории с экспериментом.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 23.09.1987

Реферативные базы данных:

•