Плазменные колебания в бесщелевых полупроводниках II рода

А. Д. Маргулис, Вл. А. Маргулис

Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева

Аннотация: Проведено теоретическое исследование плазменных волн, связанных с колебаниями электронов проводимости в примесном бесщелевом полупроводнике с инверсной зонной структурой типа $n$-HgTe при низких температурах. Показано, что специфика статического и динамического экранирования зарядов в бесщелевом полупроводнике, обусловленная особенностями его зонной структуры, приводит к качественно иной, чем в обычном полупроводнике, зависимости частоты плазмонов от температуры и концентрации электронов.

УДК: 537.226;537.311

Поступила в редакцию: 20.10.1987
Исправленный вариант: 16.02.1988

Реферативные базы данных:

•