Динамика выстраивания ян-теллеровских центров Cu$_{\text{Ga}}$ в GaAs при давлении вдоль оси [001]

Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Рассмотрено влияние процесса рекомбинации электронно-дырочных пар через ян-теллеровский центр Cu$_{\text{Ga}}$ в GaAs на степень его выстраивания в условиях давления $P$ вдоль оси [001]. Показано, что увеличение темпа рекомбинации может привести к уменьшению степени выстраивания центров, которое проявляется в уменьшении поляризации фотолюминесценции с увеличением интенсивности возбуждающего света. Этот эффект обнаружен и экспериментально исследован в $p$-GaAs при температуре ${\sim2}$ K. На основании анализа результатов эксперимента установлено, что постоянная времени выстраивания центров составляет ${(2{-}40)\cdot10^{-5}}$ с при ${P=0}$ и уменьшается с увеличением $P$ до ${\sim600}$ бар приблизительно на два порядка.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 11.01.1988

Реферативные базы данных:

•