Аннотация:
Впервые исследованы структура, электронные и оптические свойства аморфного CuCr$_{2}$Se$_{4}$. В структуре обнаружены кластеры двух основных типов с тенденцией к кристаллоподобной упаковке атомов. Доля объема, занимаемого кластерами, может изменяться при отжиге от 7 до 30%. Температурная зависимость электропроводности $\sigma$ в интервале 4.2$-$300 K определяется прыжковой проводимостью с переменной длиной прыжка и связывается с наличием зоны $3d$-состояний хрома, перекрывающейся с валентной зоной. При радиусе локализации волновой функции ${a\simeq1.2}$ Å, найденном из зависимости $\sigma$ от напряженности электрического поля при ${T=4.2}$ K, и ширине зоны $3d$-состояний ${\delta\varepsilon=0.1}$ эВ объемная плотность локализованных состояний равна 8.7$\cdot10^{20}$ см$^{-3}$, что совпадает с концентрацией дырок в кристаллическом материале. Оптическая ширина запрещенной зоны в аморфном CuCr$_{2}$Se$_{4}$${E_{0}=0.55}$ эВ. Предложена модель плотности состояний.
Полный текст:
PDF файл (1204 kB)