Аннотация:
Методом связывающих орбиталей определены решеточные (ионные) вклады в линейную и квадратичную диэлектрические восприимчивости. Получены общие выражения для электрооптического коэффициента и статической диэлектрической проницаемости. Результаты расчетов для 13 тетраэдрических кристаллов удовлетворительно соответствуют экспериментальным данным.