Отрицательное магнитосопротивление в сильно легированных пленках поликристаллического кремния

Г. М. Гусев, З. Д. Квон

Институт физики полупроводников СО АН СССР, г. Новосибирск

Аннотация: Обнаружено и исследовано отрицательное магнитосопротивление (ОМС) в пленках поликристаллического кремния, легированных фосфором до концентраций 10$^{20}\div$10$^{21}$ см$^{3}$. Показано, что ОМС полностью описывается теорией квантовых поправок к проводимости. Изучено время релаксации фазы волновой функции в зависимости от температуры и толщины пленки и найдено, что оно обусловлено электрон-электронным столкновением при наличии примесей.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 29.05.1987

Реферативные базы данных:

•