Переход несоразмерная$-$соразмерная фаза в реальном кристалле: учет дальнодействующих полей

Е. Б. Коломейский, А. П. Леванюк, С. А. Минюков

Институт кристаллографии АН СССР, г. Москва

Аннотация: Исследуется температурная зависимость среднего расстояния между доменными стенками (солитонами) $l$, образующими несоразмерную фазу, вблизи точки перехода в соразмерную фазу (${T=T_{c}}$) в кристалле с дефектами. Рассматриваются как дефекты типа случайного поля (имеющие разную энергию в разных доменах), так и дефекты типа случайной температуры (непосредственно взаимодействующие с доменной стенкой). В отличие от предыдущих работ учитываются дальнодействующие электрические и упругие поля, возникающие при изгибе доменной стенки в несоразмерных сегнетоэлектриках или сегнетоэластиках. Для последних зависимость $l$ от ${|T-T_{c}|}$ оказывается логарифмической, т. е. такой же, как и в бездефектном кристалле. Для сегнетоэлектриков индекс $\beta$ в зависимости ${l\sim|T-T_{c}|^{-\beta}}$ равен 1/2 для дефектов типа случайного поля (в отсутствие дальнодействия ${\beta=1}$), а для дефектов типа случайная температура ${3/14 <\beta< 3/10}$ (в отсутствие дальнодействия ${1/3<\beta<1/2}$).

УДК: 537.226.4

Поступила в редакцию: 22.09.1987

Реферативные базы данных:

•