Аннотация:
Показано, что функция распределения горячих фотоэлектронов в кубических полупроводниках поляризационно зависима вследствие учета эффектов пространственной дисперсии и кубической анизотропии при фотогенерации электронов или влияния внешних полей, приводящх к разогреву баллистических фотоэлектронов с анизотропной функцией генерации. Поляризационная зависимость фотопроводимости «привязана» к кристаллографическим осям или к вектору поля соответственно.