Влияние дислокаций на оптические и фотоэлектрические свойства арсенида галлия

Э. Г. Багдуев, М. Ш. Шихсаидов

Институт физики твердого тела АН СССР

Аннотация: При исследовании фотоэлектрических свойств пластически деформированных кристаллов арсенида галлия было обнаружено явление оптического гашения (ОГ) фотопроводимости (ФП). Изучение спектральной зависимости ОГ ФП показало, что введение дислокаций приводит к появлению в запрещенной зоне кристалла новых электронных состояний. Их положение, определенное из спектров ОГ ФП, соответствует результатам оптических измерений, где при исследовании фотолюминесценции GaAs с дислокациями были обнаружены две новые полосы излучения с энергиями ${E_{1}\approx1.36}$ эВ и ${E_{2}\approx0.72}$ эВ. Анализ экспериментально полученных данных позволяет предположить дислокационную природу отмеченных состояний.

УДК: 535.373.2

Поступила в редакцию: 16.07.1987

Реферативные базы данных:

•