Влияние дефектов и примесей на рассеяние носителей вблизи фазового перехода в полупроводнике–сегнетоэлектрике Pb$_{1-x}$Ge$_{x}$Te

Х. А. Абдуллин, А. И. Лебедев

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Исследованы электрические свойства твердых растворов Pb$_{1-x}$Ge$_{x}$Te (${x=0.5{-}10}$ ат.%) в интервале температур $4.2{-}300$ K. Изучено аномальное рассеяние носителей, обусловленное сегнетоэлектрическим фазовым переходом. Величина аномального рассеяния сильно зависит от концентрации свободных носителей и режима термообработки. Сопоставление полученных результатов с расчетами рассеяния на $TO$-фононах и на поляризованных дефектах показывает, что основной вклад в аномальное рассеяние вносят поляризованные дефекты, роль которых могут играть кластеры атомов Ge. Легирование твердых растворов Pb$_{1-x}$Ge$_{x}$Te индием заметно увеличивает величину аномального рассеяния.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 07.04.1983
Исправленный вариант: 20.06.1983

Реферативные базы данных:

•