Плотность электронных состояний и фазировка волн зарядовой плотности в 2$H$–NbSe$_{2}$

А. В. Скрипов, А. П. Степанов, А. Д. Шевченко, З. Д. Ковалюк

Институт физики металлов УНЦ АН СССР, Свердловск

Аннотация: Исследована температурная зависимость формы спектров ЯМР $^{93}$Nb, времени спин-решеточной релаксации и магнитной восприимчивости в монокристаллах $2H{-}$NbSe$_{2}$. Анализ формы линий ЯМР показал, что низкотемпературная фаза $2H{-}$NbSe$_{2}$, обычно рассматриваемая как «несоизмеримая», является локально соизмеримой с решеткой высокотемпературной фазы и имеет орторомбическую симметрию. Из экспериментальных данных определены плотность электронных состояний на уровне Ферми, $N (E_{F})$, вклады в $N (E_{f})$ $d$-состояний различной орбитальной симметриии и температурная зависимость амплитуды волн зарядовой плотности.

УДК: 536.424

Поступила в редакцию: 13.12.1985

Реферативные базы данных:

•