Электроакустические явления, связанные с заряженными дислокациями в полупроводниках

А. Е. Кошелев

Институт теоретической физики им. Л. Д. Ландау АН СССР

Аннотация: Рассчитаны электроакустические эффекты, связанные с наличием в полупроводниках заряженных дислокаций. Получено выражение для вклада в СВЧ поглощение, обусловленного возбуждением звука. Найден коэффициент затухания звука из-за омических потерь в ядре дислокации. Рассчитано отщепление частоты локализованной акустической моды, обусловленное электрическим зарядом на дислокации.

Поступила в редакцию: 08.04.1983
Исправленный вариант: 23.05.1983

Реферативные базы данных:

•