Анизотропия дрейфовой подвижности дырок в монокристаллическом GeS

И. П. Акимченко, Г. К. Расулова

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, г. Москва

Аннотация: Исследована анизотропия свойств переноса в монокристаллическом GeS $p$-типа путем измерения ВАХ, переходных токов вдоль и перпендикулярно $\bar{c}$ оси кристалла при температурах 300 и 100 K. Обнаружено, что дрейфовая подвижность дырок анизотропна относительно оси $\bar{c}$ кристалла и имеет значения ${\mu_{\perp c}=750\pm20\,\text{см}^{2}/\text{В}\cdot\text{с}}$ и ${\mu_{\parallel c}=12\pm2\,\text{см}^{2}/\text{В}\cdot\text{с}}$. Из спектральных зависимостей фототока и фотоэдс при векторе электромагнитной волны ${\bar{E}\parallel\bar{c}}$ и направлении электрического поля ${\bar{F}\parallel\bar{c}}$ и ${\bar{F}\perp\bar{c}}$ установлено, что в запрещенной зоне GeS существует мелкий акцепторный уровень $E_{c}$ — 0.04 эВ, концентрация состояний на котором составляет приблизительно $10^{12}\,\text{см}^{-3}$. Предполагается, что за наблюдаемую анизотропию дрейфовой подвижности ответственны дефекты акцепторного типа, локализующиеся между слоями GeS и вносящие в запрещенную зону уровень $E_{c}$ — 0.04 эВ.

Поступила в редакцию: 13.04.1983

Реферативные базы данных:

•