О временах задержек начала движения дислокаций в кристаллах кремния

Н. Я. Горидько, В. А. Макара, Н. Н. Новиков, Л. П. Стебленко

Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко

Аннотация: С использованием метода химического избирательного травления показано, что в кристаллах кремния $n$-типа проводимости с удельным электросопротивлением $0.3\,\text{Ом}\cdot\text{см}$, легированных при выращивании фосфором, в определенных интервалах температур и напряжений существует время задержки начала движения дислокаций. Изучены зависимости времени задержки от температуры, напряжения и длины дислокационных линий. Предложено вероятное объяснение полученных результатов.

Поступила в редакцию: 05.04.1983

Реферативные базы данных:

•