Гетерогенное состояние сильно легированных сегнетоэлектриков–полупроводников

А. И. Олемской

Саратовский политехнический институт, Балаковский филиал

Аннотация: В линейном приближении исследуются условия устойчивости и структура гетерогенного состояния (ГС) сильно легированных сегнетоэлектриков–полупроводников (СП). Найдены предельные концентрации носителей, ограничивающие область устойчивости ГС на фазовой диаграмме. Показано, что при определенных условиях в СП реализуются два типа ГС — с одинаковым и различным направлениями поляризации в слоях сегнетофазы.

Поступила в редакцию: 04.04.1983

Реферативные базы данных:

•