Механизм $S$-образных вольт-амперных характеристик в узкозонных полупроводниках Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$

В. Л. Попов

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Показано, что влияние столкновений между носителями на форму высокоэнергетического «хвоста» функции распределения может приводить в условиях межзонного пробоя к неоднозначной зависимости плотности тока от напряженности электрического поля. Исследовано влияние электрон-электронных столкновений на форму высокоэнергетического «хвоста» функции распределения в широком диапазоне концентраций носителей и при различных механизмах рассеяния. Полученные интерполяционные формулы используются затем при расчете $S$-образных вольт-амперных характеристик (ВАХ) в сплавах Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$.

Поступила в редакцию: 07.12.1982
Исправленный вариант: 09.03.1983

Реферативные базы данных:

•