Диэлектрическое экранирование и электростатическая энергия заряда у поверхности полупроводника типа A$_{\mathrm{III}}$B$_{\mathrm{V}}$

Д. И. Шека, А. М. Воскобойников

Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко

Аннотация: Для полуограниченного полупроводника типа A$_{\text{III}}$B$_{\text{V}}$ построена диэлектрическая функция с учетом неоднородности распределения плотности заряда у поверхности. Найдена функция Грина продольного электростатического поля и рассчитан потенциал сил изображения у поверхности полупроводника. Расчет демонстрирует необходимость детального учета особенностей диэлектрического экранирования вблизи поверхности полупроводника.

Поступила в редакцию: 19.10.1981
Исправленный вариант: 11.08.1982

Реферативные базы данных:

•