О рассеянии света в сверхпроводниках с волной зарядовой плотности

Ю. В. Копаев, В. В. Меняйленко, С. Н. Молотков

Московский институт электронной техники

Аннотация: Рассмотрен вопрос о рассеянии света в сверхпроводниках, имеющих также структурное превращение. Показано, что учет динамического взаимодействия оптически активных фононов, за происхождение которых ответственна волна зарядовой плотности (ВЗП), приводит к появлению пика в спектральной функции фононов, лежащего внутри сверхпроводящей щели. В свете полученных результатов обсуждаются эксперименты по комбинационному рассеянию света в сверхпроводнике с ВЗП 2H-NbSe$_{2}$.

Поступила в редакцию: 27.04.1982
Исправленный вариант: 02.08.1982

Реферативные базы данных:

•