Движение дислокации через хаотическую сетку локальных дефектов, способных изменять свое физическое состояние

В. И. Белан, А. И. Ландау

Физико-технический институт низких температур АН УССР, Харьков

Аннотация: Впервые проведено моделирование на ЭВМ термоактивированного движения дислокации через хаотическую сетку локальных дефектов, способных изменять свое физическое состояние. Это изменение может происходить или путем переориентации локальных дефектов в кристаллографических ячейках (дефекты снуковского типа), или на основе изменения структуры дислокационной линии в местах ее взаимодействия с локальными дефектами. Для указанных случаев методом моделирования получены зависимости скорости $v$ движения дислокации от нагрузки $\sigma$ и исследованы их качественные характеристики. Установлено, что последние хорошо согласуются с характеристиками приведенных в литературе экспериментальных зависимостей $v(\sigma)$, измеренных для определенных образцов монокристаллов фтористого лития.

УДК: 548.4

Поступила в редакцию: 19.01.1984
Исправленный вариант: 23.05.1984

Реферативные базы данных:

•