Композиционное, сегнетоэлектрическое и антисегнетоэлектрическое упорядочение в кристаллах Pb$_{2}$InNbO$_{6}$

А. А. Боков, И. П. Раевский, В. Г. Смотраков

Научно-исследовательский институт физики Ростовского государственного университета

Аннотация: В кристаллах Pb$_{2}$InNbO$_{6}$, имеющих высокотемпературный фазовый переход типа порядок–беспорядок в расположении катионов In и Nb по кристаллографическим позициям, исследовано влияние термообработки на температуры фазовых переходов и электрические свойства. Методом исследования электропроводности впервые непосредственно определена температура перехода порядок–беспорядок (${T_{\text{п}}\simeq1020^{\circ}}$С).
Показано, что в упорядоченном состоянии Pb$_{2}$InNbO$_{6}$ является антисегнетоэлектриком с точкой Кюри $195^{\circ}$С, в неупорядоченном — сегнетоэлектриком с размытым переходом в параэлектрическую фазу в области $60^{\circ}$С. Кристаллы с промежуточной степенью упорядоченности с понижением температуры из параэлектрической фазы переходят в антисегнетоэлектрическую, а затем в сегнетоэлектрическую.

УДК: 548.573.226

Поступила в редакцию: 04.01.1984
Исправленный вариант: 04.05.1984

Реферативные базы данных:

•