Исследование магнитодвухфононного резонанса на акустических фононах в полупроводниках

М. Д. Блох, Л. И. Магарилл, В. И. Сапцов, Э. М. Скок

Институт физики полупроводников СО АН СССР, г. Новосибирск

Аннотация: Развита теория магнитодвухфононного резонанса (МДФР) в полупроводниках в условиях разогрева электронного газа электрическим полем, перпендикулярным к квантующему магнитному. При МДФР электрон совершает переход между минимумами подзон Ландау, испуская два поперечных акустических (ТА) фонона с частотами, соответствующими особым точкам фононного спектра, и противоположно направленными волновыми векторами. Резонансный вклад в ток при МДФР дают гармоническое, ангармоническое и смешанное взаимодействия электронов с фононами. В приближении электронной температуры исследована форма линии МДФР.
Проведены измерения поперечного магнитосопротивления для образцов $n$-InSb при низких температурах ${T= 1.8\div4.2}$ K и электрических полях ${E\gtrsim60}$ мВ/см. Обнаружено, что спектр магнитодвухфононных осцилляции зависит от ориентаций магнитного поля по отношению к кристаллографическим осям. Наблюдаемые экспериментально закономерности МДФР находятся в соответствии с выводами теории. Дополнительный разогрев носителей лазерным излучением приводит к результатам, качественно согласующимся с предлагаемой теорией.

УДК: 537.311.31

Поступила в редакцию: 05.06.1985
Исправленный вариант: 05.11.1985

Реферативные базы данных:

•