Аннотация:
Изучается прохождение тока через точечный микроконтакт нормальных металлов, в окрестности которого существует область с нарушенной кристаллической структурой, содержащая двухуровневые системы (ДУС). Установлено, что неравновесное распределение в электронной системе (возникающее в случае ${eV\gtrsim T}$, $V$ — напряжение на контакте) приводит к неравновесности чисел заполнения уровней ДУС. Показано, что неупругие процессы с участием ДУС вносят вклад в нелинейность вольт-амперной характеристики контакта, который в области низких температур и напряжений превышает вклад фононов. Данное обстоятельство дает возможность осуществить микроконтактную спектроскопию ДУС. Исследованы также низкочастотные флуктуации тока через контакт, обусловленные переходами в ДУС (которые связаны с изменением сечения рассеяния на них электронов); показано, что при низких частотах эти флуктуации могут быть более существенны, чем найквистовский шум. Приведены оценки возможности экспериментального наблюдения рассмотренных эффектов применительно к реальным системам, в частности, к мостиковым контактам. В последнем случае может быть существенным взаимодействие электронов металла с ДУС приповерхностного слоя аморфной подложки.