Интеграл столкновений поляризованных дырок в сложной валентной зоне кристаллов типа GaAs

В. Д. Дымников

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Предлагается способ описания столкновительной релаксации поляризованных носителей заряда в кристаллах со сложной валентной зоной типа GaAs. Рассмотрение ведется с учетом непараболичности спектра легких и «отщепленных» дырок. Предложенный метод позволяет изучать конкретные механизмы рассеяния фотовозбужденных, ориентированных по угловому моменту носителей заряда в валентной зоне с учетом межподзонных переходов.

УДК: 537.3128

Поступила в редакцию: 12.12.1983

Реферативные базы данных:

•