Аннотация:
Исследуется влияние оптического выстраивания импульсов на кинетику фотоэлектронов в слоистых полупроводниках, помещенных в неквантующее магнитное поле. Рассеяние неравновесных электронов, попадающих в зону проводимости из валентной зоны за счет линейно поляризованного света, предполагается квазиупругим. В качестве типичного слоистого полупроводника выбрана $\beta$-модификация кристалла GaSe. Прямой оптический переход ${\Gamma^{-}_{4}\to\Gamma^{+}_{3}}$ является запрещенным (луч света перпендикулярен плоскости слоя). Рассчитаны «аномальные» кинетические эффекты: поперечная фотопроводимость, продольный эффект Холла, продольное магнетосопротивление. Обсуждены недавние эксперименты по обнаружению поперечной фотоэдс в GaSe.
Полный текст:
PDF файл (624 kB)