Резонансная фотоупругость кристаллов во внешнем магнитном поле при наличии пространственной дисперсии

Э. Г. Бадасян, Г. Н. Шкердин

Институт радиотехники и электроники АН СССР

Аннотация: Получено выражение для резонансной части диэлектрической проницаемости кристалла, помещенного в магнитное поле при наличии звуковой волны с учетом эффекта пространственной дисперсии. Показано, что эффект пространственной дисперсии может приводить к появлению дополнительных сильных резонансов в зависимости амплитуды модуляции диэлектрической проницаемости кристалла $\Delta\varepsilon_{ik}$ звуковой волной от частоты электромагнитной волны $\omega$. В области пространственной дисперсии величина $\Delta\varepsilon_{ik}$ сильно зависит от взаимной ориентации волнового вектора звука $q$ и напряженности магнитного поля ${\mathbf H}$. При ${{\mathbf q}\parallel{\mathbf H}}$ возможно возникновение сильных резонансов в $\Delta\varepsilon_{ik}(\omega)$ в области оптических переходов между акустическими минизонами валентной зоны и зоны проводимости, где возникает сильная зависимость величины $\Delta\varepsilon_{ik}$ от $q$ и существенно меняется зависимость $\Delta\varepsilon_{ik}$ от амплитуды звука. Данный эффект может быть полезен при экспериментальном изучении особенностей квантования электронного спектра звуковой волной. Отмечены резонансные особенности величины $\Delta\varepsilon_{ik}$ при наличии внешних электрического и магнитного полей.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 05.04.1983
Исправленный вариант: 03.10.1983

Реферативные базы данных:

•