Особенности низкотемпературной проводимости сверхпроводящей керамики BaPb$_{1-x}$Bi$_{x}$O$_{3}$, связанные с гранулярностью структуры

С. В. Зайцев-Зотов, Е. А. Протасов

Московский инженерно-физический институт

Аннотация: Приводятся результаты исследования проводимости керамических образцов BaPb$_{1-x}$Bi$_{x}$O$_{3}$ в области температур ниже критической. Показывается, что наблюдавшиеся ранее аномалии низкотемпературной проводимости [1$-$5] связаны с гранулярностью структуры. Обнаружено, что вольт-амперные характеристики (ВАХ) образцов, потерявших резистивный сверхпроводящий переход в результате термообработки в вакууме, имеют вид, характерный для одночастичного туннелирования. Это позволяет связать наблюдавшиеся ранее аномалии низкотемпературной проводимости таких образцов (появление активационного роста сопротивления при ${T< 10}$ K с энергией активации, зависящей от магнитного поля) с одночастичным туннелированием через границы зерен. У сверхпроводящих образцов, имеющих аномальное поведение проводимости в смешанном состоянии (гистерезис и два максимума на зависимости сопротивления от магнитного поля), обнаружены ВАХ, характерные для гранулярных систем с джозефсоновской связью между гранулами и позволяющие связать наблюдающиеся аномалии с эффектами джозефсоновского и одночастичного туннелирования через границы зерен. Показано, что максимум сопротивления в поле ${H=0.2}$ кЭ (${T=4.2}$ K) связан с перераспределением магнитного поля в образце при переходе в смешанное состояние. У керамических образцов, имеющих высокое значение проводимости в нормальном состоянии, аномальное поведение проводимости наблюдалось при значительных плотностях транспортного тока.

УДК: 537.312.62

Поступила в редакцию: 27.07.1983
Исправленный вариант: 20.12.1983

Реферативные базы данных:

•