Метод инвариантов в теории комбинационного рассеяния света свободными носителями тока в полупроводниках со сложной зонной структурой

В. А. Войтенко

Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина

Аннотация: Изучена поляризационная зависимость рассеяния света в кубических полупроводниках при наличии сильной пространственной дисперсии. Показано, что в этом случае число независимых компонент тензора четвертого ранга, через которые выражается сечение рассеяния, зависит от направления вектора ${\hbar{\mathbf q}=\hbar({\mathbf k_{I}-k_{S}})}$, равного импульсу, переданному среде при рассеянии. Найдены случаи, когда сечение рассеяния не выражается через произведение тензоров рассеяния второго ранга. Полученные результаты применены к рассеянию света свободными бесстолкновительными дырками в полупроводниках с валентной зоной симметрии $\Gamma_{8}$.

УДК: 535.36:539.2

Поступила в редакцию: 21.10.1983

Реферативные базы данных:

•