Образование дефектов решетки в широкозонных полупроводниках A$_{2}$B$_{6}$ под воздействием излучения азотного лазера

Г. П. Яблонский

Институт физики АН БССР, г. Минск

Аннотация: Показано, что в монокристаллах ZnSe, CdS, ZnTe, CdSe и CdTe в процессе лазерного облучения происходит образование центров излучательной и безызлучательной рекомбинации. Это проявляется в возникновении новых полос в спектрах люминесценции, уменьшении интенсивности экситонного излучения кристаллов, изменении амплитуды фототока и трансформации спектров отражения. Обсуждаются возможные механизмы образования дефектов.

УДК: 62J.315.592

Поступила в редакцию: 20.05.1983
Исправленный вариант: 20.10.1983

Реферативные базы данных:

•