Гистерезис диэлектрической проницаемости титаната стронция при 4.2 K

О. Г. Вендик, А. И. Дедык, Р. В. Дмитриева, А. Я. Зайончковский, Ю. В. Лихолетов, А. С. Рубан

Ленинградский электротехнический институт им.Ульянова (Ленина)

Аннотация: Экспериментальные исследования гистерезиса диэлектрической проницаемости в SrTiO$_{3}$ проводились путем создания различной напряженности поля у катода и анода нелинейных конденсаторов с целью выяснения полярности гистерезиса и условий образования приэлектродных слоев под действием напряжения смещения.
Установлено, что гистерезис возникает в полях ${\sim10^{6}}$ В/м, гистерезис связан с образованием поверхностных прикатодных слоев; определены характерные времена образования гистерезисного состояния. Полученные экспериментальные результаты объясняются образованием объемного заряда под действием поля смещения. Внутреннее поле объемного заряда, в ряде случаев имевшего отрицательный знак, а в ряде случаев — положительный знак, необратимо уменьшает диэлектрическую проницаемость SrTiO$_{3}$.
Предложенная методика исследований позволяет по измерениям ВФХ определять направление внутреннего поля и характер распределения-объемного заряда, которые зависят от конкретной технологии приготовления образцов.

УДК: 537.226.33

Поступила в редакцию: 14.09.1983

Реферативные базы данных:

•