Резонансное комбинационное рассеяние света в растянутом кремнии

В. Г. Хамдамов, И. И. Новак, В. И. Веттегрень

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: В видимой области спектра экспериментально изучена зависимость сечения однофононного комбинационного рассеяния света (КРС) от частоты падающего света на поверхности (111) монокристалла Si как ненагруженного, так и находящегося в плоском напряженном состоянии растяжения с осью симметрии [111] под нагрузкой 4.91 ГПа. Обнаружено возрастание сечения КРС на фононном дублете с симметрией $E_{g}$ с ростом частоты света и величины прикладываемой нагрузки. Данные хорошо согласуются с теоретическими кривыми для сечения резонансного КРС вблизи $E_{1}$-перехода. Для сопоставления эксперимента с теорией рассчитаны сдвиги и расщепления переходов $E_{1}$, $E'_{0}$ и $E_{G}$ дана численная оценка коэффициента поглощения и показателя преломления света в нагруженном кремнии.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 30.06.1983

Реферативные базы данных:

•