Неравновесные фазовые переходы в ковалентных полупроводниках под воздействием лазерного излучения

Ю. В. Копаев, В. В. Меняйленко, С. Н. Молотков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, г. Москва

Аннотация: В рамках метода псевдопотенциала исследуются фазовые переходы в ковалентных полупроводниках, обусловленные оптическим возбуждением валентных электронов. Вычисляется энергия возбужденных полупроводниковых фаз Si и GaAs. Определяются критические концентрации неравновесных носителей, при которых полупроводниковые фазы оказываются энергетически невыгодными по отношению к металлическим модификациям. Обсуждается влияние эффектов, связанных с разогревом решетки.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 15.05.1985

Реферативные базы данных:

•