Аннотация:
Экспериментально и теоретически исследовано компенсирующее действие примесей Ge и Sn в решетке CdTe. Показано, что наличие нетривиального скачкообразного перехода CdTe : Ge и CdTe : Sn в полуизолирующее состояние, имеющем место при концентрациях примеси Ge и Sn, равных соответственно ${2\div3\cdot10^{16}}$ и ${\sim7\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3}}$, может быть объяснено эффектом превращения примесных подсистем, обусловленным взаимодействием примесей через кристаллическую решетку.