60$^{\circ}$ дислокации несоответствия в гетероструктурах типа In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs (001)

Т. С. Аргунова, С. С. Рувимов, Л. М. Сорокин, И. Л. Шульпина

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Приведены результаты комплексного дифракционного анализа (методами трансмиссионной электронной микроскопии и рентгеновских топографии и дифрактометрии) сетки темных линий, выявляемой в растровом электронном микроскопе в режиме микрокатодолюминесценции. Установлено, что сетка образована 60$^{\circ}$ дислокациями несоответствия, которые на картине катодолюминесценции проявляются в виде темных линий, причем аномально темные линии соответствуют наложению изображений нескольких близко расположенных дислокаций. Характер распределения и взаимодействия дислокаций в сетке указывает на преобладающую роль скольжения в ее формировании.

УДК: 620.187:548.4

Поступила в редакцию: 01.04.1985

Реферативные базы данных:

•