Аннотация:
Экспериментально исследованы спектры гиперкомбинационного рассеяния (ГКР) в кристаллах CdS, возбуждаемых излучением перестраиваемого лазера на красителе, при гелиевой температуре и различных углах наблюдения рассеянного излучения. Теоретически рассчитаны зависимости спектральных положений линий ГКР от энергии фотонов возбуждающего излучения и угла рассеяния. Из сопоставления экспериментальных результатов с теоретическими расчетами оценены матричный элемент экситон-биэкситонного перехода, константа биэкситонного затухания и другие параметры, характеризующие экситонное и биэкситонное состояния в CdS при используемых в эксперименте условиях.