Аннотация:
В работе проанализированы возможности рентгенотопографических методов для определения знаков дислокаций несоответствия (ДН) в гетероструктурах, причем использование однокристальной схемы на отражение для этой цели предложено впервые. Получены простые эмпирические правила анализа контраста ДН на топограммах и установлен знак ДН в автоэпитаксиальной структуре GaSb/GaSb : Si (111), знак несоответствия параметров решеток слоя и подложки для которой не был известен. Показано, что информация о знаках ДН может быть использована для установления знаков несоответствия или вклада ДН в разориентацию решеток слоя и подложки.