ЭПР и оптические исследования ионов Ge$^{+}$ в щелочно-галоидных кристаллах

А. Г. Бадалян^a, П. Г. Баранов^a, В. А. Храмцов^a, Б. Ильеску^b, В. Топа<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
^b Центральный институт физики Институт физики и технологии материалов, Бухарест

Аннотация: Методом ЭПР впервые установлено, что рентгеновское облучение при 77 K кристаллов NaCl : Ge$^{2+}$ и КСl : Ge$^{2+}$ приводит к захвату электрона ионом Ge$^{2+}$ с образованием иона Ge$^{+}$. Обнаружено два типа центров Ge$^{+}$. Непосредственно после облучения образуются Ge$^{+}$-центры с орторомбической симметрией, в ближайшем окружении которых имеется катионная вакансия $v_{k}$ (Ge$^{+}v_{k}$-центры). При нагревании кристаллов до 300 K вследствие отхода катионной вакансии от иона Ge$^{+}$, Ge$^{+}v_{k}$-центры преобразуются в центры Ge$^{+}$ с тетрагональной симметрией (Ge$^{+}_{k}$-центры). Определены параметры спинового гамильтониана для центров Ge$^{+}v_{k}$ и Ge$^{+}_{k}$. Установлено, что катионные вакансии располагаются преимущественно в ближайшем по направлениям $\langle110\rangle$ положении от иона германия. Ge$^{+}_{k}$- и Ge$^{+}v_{k}$-центрам соответствуют оптические полосы поглощения в области 190$-$220 нм.

УДК: 548.537.4З

Поступила в редакцию: 08.01.1985

Реферативные базы данных:

•