Аннотация:
Исследовано разрушение чисто сверхпроводящего состояния в широких (${w>\lambda_{\perp}}$) тонких (${d<\lambda,\xi}$) сверхпроводящих пленках алюминия высокочастотным полем. Показано, что разрушение сверхпроводимости происходит при достижении наводимым в пленке током величины тока распаривания. Экспериментальная зависимость критической амплитуды ВЧ поля $H_{k1}$ от температуры имеет вид ${h_{k1}\sim(T_{c}-T)^{3/2}}$, а абсолютное значение $h_{k1}$ находится в хорошем количественном согласии с теорией.
Полный текст:
PDF файл (751 kB)