Перестройка энергетических зон полупроводников и диэлектриков в поле мощной слабопоглощающейся световой волны

Ю. Т. Ребане

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Изучена перестройка энергетических зон кристаллов в присутствии мощной световой волны с частотой $\omega$ в случае ${1/\tau_{p}\ll\omega\ll\varepsilon_{g}}/\hbar$, где $\varepsilon_{g}$ — ширина запрещенной зоны и $\tau_{p}$ — время импульсной релаксации носителей заряда. Показано, что лазерное излучение влияет на экстремумы зон подобно некоторой эффективной «деформации», величина которой пропорциональна мощности света.

УДК: 535.37

Поступила в редакцию: 01.06.1984
Исправленный вариант: 01.11.1984

Реферативные базы данных:

•