Эффекты ангармонизма решетки вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода, индуцированного дипольными примесями

Б. Е. Вугмейстер

Институт проблем материаловедения АН УССР, г. Киев

Аннотация: Показано, что эффекты ангармонизма решетки вблизи температуры сегнетоэлектрического фазового перехода, индуцированного дипольными примесями, можно приближенно учесть путем перенормировки решеточной восприимчивости. Получено уравнение, определяющее величину перенормированной восприимчивости, и проанализировано влияние ангармонизма на температуру фазового перехода. Проведено сопоставление с экспериментом в КТаО$_{3}$ : Li.

УДК: 539.2.537.226

Поступила в редакцию: 18.04.1984
Исправленный вариант: 01.11.1984

Реферативные базы данных:

•