О форме края межзонного оптического поглощения сильно легированных полупроводников

Э. Г. Батыев, Ю. А. Пусеп, М. П. Синюков

Институт физики полупроводников СО АН СССР, г. Новосибирск

Аннотация: Рассматривается задача о поглощении света при межзонных переходах в вырожденных прямозонных полупроводниках в пределе достаточно слабого размытия края поглощения. Появление этого размытия обусловлено рассеянием электронов и дырок на несовершенствах кристалла. Результаты используются для анализа экспериментальных спектров поглощения соединений Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 17.07.1984
Исправленный вариант: 30.10.1984

Реферативные базы данных:

•