Туннельная диполь-решеточная релаксация на акустических и оптических фононах во внешних и внутренних полях

В. С. Вихнин

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Проведено теоретическое рассмотрение когерентного и некогерентного фононно-индуцированного туннелирования реориентирующихся дипольных центров на акустических и оптических фононах во внешних и внутренних полях в кристалле. Туннельные прыжковые процессы исследовались как в приближении слабой, так и сильной связи с решеткой. Изучались также эффекты диполь-фононного взаимодействия, индуцированного внешними и внутренними полями. Показано, что эффект подмешивания возбужденных состояний в отдельных потенциальных ямах внешними, внутренними кристаллическими, фононными полями, а также полями дефектов приводит к существенному изменению скоростей туннельной реориентационной релаксации и их зависимостей от внешнего и внутреннего полей. Качественно различная зависимость скоростей туннельных прыжков от внешнего и внутреннего поля имеет место для вклада акустических и оптических фононов, в случаях сильной и слабой связи с решеткой — для диполь-фононного взаимодействия, индуцированного внешними и внутренними полями и не связанным с ними. В сегнетоэлектриках с учетом мягких оптических фононов и критических зависимостей внутренних полей в исследуемых случаях реализуются существенно отличающиеся критические зависимости скорости туннельных реориентаций. Обнаружены новые критические зависимости скорости туннельных прыжков. Показано, что исследование туннельной диполь-решеточной релаксации во внешних и внутренних полях позволит определять механизм и характеристики диполь-фононной связи, новые туннельные параметры с участием возбужденных состояний центра, природу внутреннего поля.

УДК: 537.635

Поступила в редакцию: 19.04.1984
Исправленный вариант: 01.10.1984

Реферативные базы данных:

•