Влияние импульсной релаксации на статические вольт-амперные характеристики полупроводниковых сверхрешеток

Е. С. Боровицкая, В. М. Генкин

Институт прикладной физики АН СССР, г. Горький

Аннотация: Теоретически исследовано влияние концентрации носителей, температуры и интенсивности импульсного рассеяния электронов на вид статической вольт-амперной характеристики (ВАХ) полупроводниковой сверхрешетки (CP). Показано, что наблюдающиеся на эксперименте особенности ВАХ можно объяснить, если учесть рассеяние электронов в диэлектрических барьерах, разделяющих полупроводниковые пленки.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 26.06.1984
Исправленный вариант: 06.09.1984

Реферативные базы данных:

•